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NTR3162PT3G參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT-23
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： WireChangeforSOT23Pkg26/May/2009 ProductObsolescence01/Jul/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝：10,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：2.2A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：70毫歐@2.2A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：10.3nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：940pF@10V功率-最大值：480mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）
