NTR1P02LT1G
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NTR1P02LT1G參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： WireChangeforSOT23Pkg26/May/2009
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：1.3A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：220毫歐@750mA，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.25V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：5.5nC@4V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：225pF@5V
功率-最大值：400mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）