NTMS4P01R2
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NTMS4P01R2參數(shù)：MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence30/Dec/2003
標準包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：12V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：3.4A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：45毫歐@4.5A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.15V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：35nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1850pF@9.6V
功率-最大值：790mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOICN