NTMFS4921NT1G參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 8.8A SO8 FL
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,500系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：8.8A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：6.95 毫歐 @ 30A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：25nC @ 11.5V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1400pF @ 12V功率 - 最大值：870mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-TDFN 裸焊盤（5 根引線）供應(yīng)商器件封裝：6-DFN，8-SO 扁平引線（5x6）
