NTMFS4921NT1G參數：MOSFET N-CH 30V 8.8A SO8 FL
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：1,500系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：8.8A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：6.95 毫歐 @ 30A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：25nC @ 11.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1400pF @ 12V功率 - 最大值：870mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-TDFN 裸焊盤（5 根引線）供應商器件封裝：6-DFN，8-SO 扁平引線（5x6）
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