NTMD2P01R2G
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NTMD2P01R2G參數：MOSFET PWR P-CHAN DUAL 16V 8SOIC

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
產品變化通告： WireChange20/Aug/2008 ProductObsolescence07/Jul/2010
標準包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個P溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：16V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：2.3A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：100毫歐@2.4A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：18nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：750pF@16V
功率-最大值：710mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應商器件封裝：8-SOICN