NTLJD3182FZTBG
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NTLJD3182FZTBG參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：二極管（隔離式）
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：2.2A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：100毫歐@2A，4.5V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：7.8nC@4.5V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：450pF@10V
功率-最大值：710mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-WDFN裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：6-WDFN（2x2）