NTHS4111PT1G
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NTHS4111PT1G參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation31/Mar/2005
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：3.3A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：45毫歐@4.4A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：28nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1500pF@24V
功率-最大值：700mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝：ChipFET?