NTHD2102PT1
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NTHD2102PT1參數(shù)：MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence11/Feb/2009
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個P溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：8V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：3.4A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：58毫歐@3.4A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：16nC@2.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：715pF@6.4V
功率-最大值：1.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝：ChipFET?