NTD6600N-1G
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NTD6600N-1G參數：MOSFET N-CH 100V 12A IPAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品變化通告： ProductDiscontinuation01/Oct/2008
標準包裝：75
系列：-
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：100V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：12A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：146毫歐@6A，5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：20nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：700pF@25V
功率-最大值：1.28W
安裝類型：通孔
封裝：TO-251-3短引線，IPak，TO-251AA
供應商器件封裝：I-Pak