NTD5865N-1G
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NTD5865N-1G參數：MOSFET N-CH 60V 34A 18MOHM DPAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：75
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：38A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：18 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：23nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1261pF @ 25V
功率 - 最大值：52W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商器件封裝：DPAK-3