NTD4969N-35G
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NTD4969N-35G參數：MOSFET N-CH 30V 41A IPAK-3

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：75
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：9.4A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：9 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：9nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：837pF @ 15V
功率 - 最大值：1.38W
安裝類型：通孔
封裝：TO-251-3 短截引線，IPak
供應商器件封裝：I-Pak