NTD3808N-35G參數(shù)：MOSFET N-CH 16V 12A IPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence19/Dec/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝：75系列：-包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：16V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：12A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：5.8毫歐@15A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：21nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1660pF@12V功率-最大值：1.3W安裝類型：通孔封裝：TO-251-3短截引線，IPak供應(yīng)商器件封裝：I-Pak
