NTD3055L170G
PDF資料下載

NTD3055L170G參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 9A DPAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010
標準包裝：75
系列：-
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：9A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：170毫歐@4.5A，5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：10nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：275pF@25V
功率-最大值：1.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：DPAK-3