NTD12N10G
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NTD12N10G參數：MOSFET N-CH 100V 12A DPAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品變化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010
標準包裝：75
系列：-
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：100V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：12A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：165毫歐@6A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：20nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：550pF@25V
功率-最大值：1.28W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應商器件封裝：DPAK-3