NSVMMUN2132LT1G
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NSVMMUN2132LT1G參數：TRANS BRT PNP 50V SOT-23

類別：分立半導體產品-晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
晶體管類型：PNP - 預偏壓
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
電阻器 - 基底 (R1) (Ω)：4.7k
電阻器 - 發射極基底 (R2) (Ω)：4.7k
不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：15 @ 5mA，10V
不同?Ib、Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）：250mV @ 1mA，10mA
電流 - 集電極截止（最大值）：500nA
頻率 - 躍遷：-
功率 - 最大值：246mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：SOT-23-3