NSV40300MDR2G
PDF資料下載

NSV40300MDR2G參數：TRANS PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC

類別：分立半導體產品-晶體管(BJT) - 陣列
標準包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
晶體管類型：2 PNP（雙）
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：3A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：40V
不同?Ib、Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）：170mV @ 200mA，2A
電流 - 集電極截止（最大值）：-
不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：180 @ 1A，2V
功率 - 最大值：653mW
頻率 - 躍遷：100MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝：8-SOIC