NSS35200MR6T1G
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NSS35200MR6T1G參數：TRANSISTOR PNP 2A 35V TSOP-6

類別：分立半導體產品-晶體管(BJT) - 單路
產品培訓模塊： LowVce(sat)BJTPowerSavings
產品變化通告： WireChange08/Jun/2009
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
晶體管類型：PNP
電流-集電極(Ic)（最大值）：2A
電壓-集射極擊穿（最大值）：35V
不同?Ib、Ic時的?Vce飽和值（最大值）：310mV@20mA，2A
電流-集電極截止（最大值）：100nA
不同?Ic、Vce?時的DC電流增益(hFE)（最小值）：100@1.5A，1.5V
功率-最大值：625mW
頻率-躍遷：100MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝：SC-74，SOT-457
供應商器件封裝：6-TSOP