NSBA123EDXV6T1G
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NSBA123EDXV6T1G參數：TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563

類別：分立半導體產品-晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
標準包裝：4,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
晶體管類型：2 個 PNP 預偏壓式（雙）
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
電阻器 - 基底 (R1) (Ω)：2.2k
電阻器 - 發射極基底 (R2) (Ω)：2.2k
不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：8 @ 5mA，10V
不同?Ib、Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）：250mV @ 5mA，10mA
電流 - 集電極截止（最大值）：500nA
頻率 - 躍遷：-
功率 - 最大值：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-563，SOT-666
供應商器件封裝：SOT-563