NP80N055PDG-E1B-AY
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NP80N055PDG-E1B-AY參數：MOSFET N-CH 55V 80A TO-263

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：1,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：55V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：80A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：6.6 毫歐 @ 40A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：135nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：6900pF @ 25V
功率 - 最大值：1.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝：TO-263