NID9N05ACLT4G
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NID9N05ACLT4G參數：MOSFET N-CH 52V 9A LL DPAK-3

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：52V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：9A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：90 毫歐 @ 9A，12V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 100µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：7nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：250pF @ 40V
功率 - 最大值：1.74W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商器件封裝：DPAK-3