NCP5181DR2G
PDF資料下載

NCP5181DR2G參數(shù)：IC MOSFET DRVR HIGH VOLT 8-SOIC

類別：集成電路 (IC)-PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān)
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
配置：半橋
輸入類型：非反相
延遲時間：100ns
電流 - 峰值：1.4A
配置數(shù)：1
輸出數(shù)：2
高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）：600V
電壓 - 電源：10 V ~ 20 V
工作溫度：-40°C ~ 125°C
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC N