MVDF1N05ER2G
PDF資料下載

MVDF1N05ER2G參數(shù)：MOSFET N-CH 50V 2A 8-SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓 (Vdss)：50V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：2A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：300 毫歐 @ 1.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：12.5nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：330pF @ 25V
功率 - 最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SO