MUBW50-12E8
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MUBW50-12E8參數：MODULE IGBT CBI E3

類別：半導體模塊-IGBT
標準包裝：5
系列：-
IGBT 類型：-
配置：三相反相器，帶制動器
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.4V @ 15V，50A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：90A
電流 - 集電極截止（最大值）：800µA
不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：3.8nF @ 25V
功率 - 最大值：350W
輸入：三相橋式整流器
NTC 熱敏電阻：是
安裝類型：底座安裝
封裝：E3
供應商器件封裝：E3