MUBW35-12E7參數(shù)：MODULE IGBT CBI E2
類別：半導(dǎo)體模塊-IGBT標(biāo)準(zhǔn)包裝：6系列：-IGBT 類型：NPT配置：三相反相器，帶制動(dòng)器電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)：2.8V @ 15V，35A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：52A電流 - 集電極截止（最大值）：400µA不同?Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies)：2nF @ 25V功率 - 最大值：225W輸入：三相橋式整流器NTC 熱敏電阻：是安裝類型：底座安裝封裝：E2供應(yīng)商器件封裝：E2
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