MUBW15-12A6參數(shù):MODULE IGBT CBI E1
類別:半導(dǎo)體模塊-IGBT標(biāo)準(zhǔn)包裝:10系列:-IGBT 類型:NPT配置:三相反相器,帶制動(dòng)器電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on):2.9V @ 15V,10A電流 - 集電極 (Ic)(最大值):18A電流 - 集電極截止(最大值):500µA不同?Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):850nF @ 25V功率 - 最大值:70W輸入:三相橋式整流器NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝:E1供應(yīng)商器件封裝:E1