MTB50P03HDLT4
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MTB50P03HDLT4參數：MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品變化通告： ProductObsolescence14/Apr/2010
標準包裝：10
系列：-
包裝：剪切帶(CT)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：50A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：25毫歐@25A，5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：100nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：4900pF@25V
功率-最大值：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝：D2PAK