MMIX1F44N100Q3
PDF資料下載

MMIX1F44N100Q3參數(shù)：MOSFET N CH 1000V 30A

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
特色產(chǎn)品： Q3HiPerFETTPowerMOSFETinSMPDPackage
標(biāo)準(zhǔn)包裝：20
系列：HiPerFET™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：1000V（1kV）
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：30A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：245毫歐@22A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：6.5V@8mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：264nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：13600pF@25V
功率-最大值：694W
安裝類型：表面貼裝
封裝：24-BESOP（0.906"，23.00mm寬）21引線，裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：24-SMPD