<li id="aew24"></li>
MGSF1N02LT1參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence11/Feb/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：750mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：90毫歐@1.2A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-不同Vds時的輸入電容(Ciss)：125pF@5V功率-最大值：400mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）
