MCH6626-TL-E參數(shù)：MOSFET N/P-CH 20V 1.6/1A MCPH6
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品目錄繪圖： MCPH3Package-P,N&N/PChannelTop標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：N和P溝道FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：1.6A，1A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：230毫歐@800mA，4V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：-不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：1.4nC@4V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：105pF@10V功率-最大值：800mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝：6-MCPH
