MCH6601-TL-E
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MCH6601-TL-E參數(shù)：MOSFET P-CH DUAL 30V 200MA MCPH6

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個(gè) P 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：200mA
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：10.4 歐姆 @ 50mA，4V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：1.43nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：7.5pF @ 10V
功率 - 最大值：800mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-SMD，無(wú)引線
供應(yīng)商器件封裝：6-MCPH