IXYB82N120C3H1參數(shù)：IGBT 1200V 160A 1040W PLUS264
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路標(biāo)準(zhǔn)包裝：25系列：XPT™, GenX3™包裝：管件IGBT 類(lèi)型：-電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)：3.2V @ 15V，82A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：160ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：320A功率 - 最大值：1040WSwitching Energy：4.95mJ（開(kāi)），2.78mJ（關(guān)）輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)Gate Charge：215nCTd (on/off) A 25°C：29ns/192nsTest Condition：-反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：420ns封裝：TO-264-3，TO-264AA安裝類(lèi)型：通孔供應(yīng)商器件封裝：*
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