IXXN110N65B4H1
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IXXN110N65B4H1參數(shù)：IGBT 650V 215A 750W SOT227B

類別：半導(dǎo)體模塊-IGBT
標準包裝：10
系列：*
IGBT 類型：PT
配置：單一
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650V
不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.1V @ 15V，110A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：215A
電流 - 集電極截止（最大值）：50µA
不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：*
功率 - 最大值：750W
輸入：標準
NTC 熱敏電阻：無
安裝類型：底座安裝
封裝：SOT-227-4，miniBLOC
供應(yīng)商器件封裝：SOT-227B