IXTP02N50D
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IXTP02N50D參數：MOSFET N-CH 500V 200MA TO-220

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：耗盡模式
漏源極電壓(Vdss)：500V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：200mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：30歐姆@50mA，0V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@25µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：120pF@25V
功率-最大值：1.1W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應商器件封裝：TO-220
配用：EVLB001-ND-KITEVALDIMMABLELIGHTBALLAST