IXTN600N04T2參數(shù)：MOSFET N-CH 40V 600A SOT-227
類別：半導(dǎo)體模塊-FET標(biāo)準(zhǔn)包裝：30系列：TrenchT2™ GigaMOS™包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：40V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：600A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：1.05 毫歐 @ 100A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：590nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：40000pF @ 25V功率 - 最大值：940W安裝類型：底座安裝封裝：SOT-227-4，miniBLOC供應(yīng)商器件封裝：SOT-227B
