IXTN30N100L
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IXTN30N100L參數：MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227

類別：半導體模塊-FET
標準包裝：10
系列：-
包裝：散裝
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：30A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：450 毫歐 @ 15A，20V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：545nC @ 20V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：13700pF @ 25V
功率 - 最大值：800W
安裝類型：底座安裝
封裝：SOT-227-4，miniBLOC
供應商器件封裝：SOT-227B