IXTN120P20T參數(shù)：MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227
類別：半導(dǎo)體模塊-FET標(biāo)準(zhǔn)包裝：10系列：TrenchP™包裝：管件FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：200V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：106A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：30 毫歐 @ 60A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：740nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：73000pF @ 25V功率 - 最大值：830W安裝類型：底座安裝封裝：SOT-227-4，miniBLOC供應(yīng)商器件封裝：SOT-227
