IXTA1R4N100P
PDF資料下載

IXTA1R4N100P參數(shù)：MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：Polar™
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：1.4A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：11 歐姆 @ 500mA，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：17.8nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：450pF @ 25V
功率 - 最大值：63W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝：TO-263