IXSA10N60B2D1
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IXSA10N60B2D1參數(shù)：IGBT HS W/DIODE 600V 20A TO263

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：-
包裝：散裝
IGBT 類(lèi)型：PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)：2.5V @ 15V，10A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：20A
Current - Collector Pulsed (Icm)：30A
功率 - 最大值：100W
Switching Energy：430µJ（關(guān)）
輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：17nC
Td (on/off) A 25°C：30ns/180ns
Test Condition：-
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：25ns
封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
安裝類(lèi)型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：TO-263