IXFT20N60Q
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IXFT20N60Q參數：MOSFET N-CH 600V 20A TO-268

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：30
系列：HiPerFET™
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：600V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：20A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：350 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 4mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：90nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3300pF @ 25V
功率 - 最大值：300W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
供應商器件封裝：TO-268