IXFK30N110P
PDF資料下載

IXFK30N110P參數：MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：25
系列：Polar™ HiPerFET™
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：1100V（1.1kV）
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：30A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：360 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：6.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：235nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：13600pF @ 25V
功率 - 最大值：960W
安裝類型：通孔
封裝：TO-264-3，TO-264AA
供應商器件封裝：TO-264