IXFH60N20
PDF資料下載

IXFH60N20參數：MOSFET N-CH 200V 60A TO-247

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：30
系列：HiPerFET™
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：200V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：60A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：33 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 4mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：155nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：5200pF @ 25V
功率 - 最大值：300W
安裝類型：通孔
封裝：TO-247-3
供應商器件封裝：TO-247