IXFH13N100
PDF資料下載

IXFH13N100參數(shù)：MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO-247

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：30
系列：HiPerFET™
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：12.5A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：900 毫歐 @ 500mA，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 4mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：155nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：4000pF @ 25V
功率 - 最大值：300W
安裝類型：通孔
封裝：TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-247