IXFB170N30P參數(shù)：MOSFET N-CH TO-264
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：25系列：Polar™ HiPerFET™包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：300V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：170A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：18 毫歐 @ 85A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1mA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：258nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：20000pF @ 25V功率 - 最大值：1250W安裝類型：通孔封裝：TO-264-3，TO-264AA供應(yīng)商器件封裝：PLUS264?
IXYSTO-2642023+371原裝現(xiàn)貨質(zhì)量保證
