IXDT30N120
PDF資料下載

IXDT30N120參數：IGBT 1200V 60A W/DIODE TO-268AA

類別：分立半導體產品-IGBT - 單路
標準包裝：30
系列：-
包裝：管件
IGBT 類型：NPT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.9V @ 15V，30A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：60A
Current - Collector Pulsed (Icm)：76A
功率 - 最大值：300W
Switching Energy：-
輸入類型：標準
Gate Charge：120nC
Td (on/off) A 25°C：-
Test Condition：-
反向恢復時間 (trr)：-
封裝：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
安裝類型：表面貼裝
供應商器件封裝：TO-268