IXDN55N120D1
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IXDN55N120D1參數(shù)：IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B

類別：半導(dǎo)體模塊-IGBT
標(biāo)準(zhǔn)包裝：10
系列：-
IGBT 類型：NPT
配置：單一
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.8V @ 15V，55A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100A
電流 - 集電極截止（最大值）：3.8mA
不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：3.3nF @ 25V
功率 - 最大值：450W
輸入：標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻：無
安裝類型：底座安裝
封裝：SOT-227-4，miniBLOC
供應(yīng)商器件封裝：SOT-227B