IXBT12N300
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IXBT12N300參數：IGBT 3000V 30A 160W TO268

類別：分立半導體產品-IGBT - 單路
標準包裝：30
系列：BIMOSFET™
包裝：管件
IGBT 類型：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：3000V
不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：3.2V @ 15V，12A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：30A
Current - Collector Pulsed (Icm)：100A
功率 - 最大值：160W
Switching Energy：-
輸入類型：標準
Gate Charge：62nC
Td (on/off) A 25°C：-
Test Condition：-
反向恢復時間 (trr)：1.4µs
封裝：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
安裝類型：表面貼裝
供應商器件封裝：TO-268