IRF7311PBF參數：MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
類別：分立半導體產品-FET - 陣列產品培訓模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)設計資源： IRF7311TRPBFSaberModel IRF7311TRPBFSpiceModel標準包裝：95系列：HEXFET®包裝：管件FET類型：2個N溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：6.6A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：29毫歐@6A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：700mV@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：27nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：900pF@15V功率-最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應商器件封裝：8-SO
