IRF6798MTRPBF
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IRF6798MTRPBF參數：MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品培訓模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
設計資源： IRF6798MTR1PBFSaberModel IRF6798MTR1PBFSpiceModel
標準包裝：4,800
系列：HEXFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，肖特基，金屬氧化物!
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：25V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：37A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.3毫歐@37A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.35V@150µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：75nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：6560pF@13V
功率-最大值：2.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝：DirectFET?等容MX
供應商器件封裝：DIRECTFET?MX