IMB10AT110
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IMB10AT110參數(shù)：TRANS DUAL PNP 50V 100MA SOT-457

類別：分立半導體產(chǎn)品-晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
產(chǎn)品目錄繪圖： SOT-457PackageTop
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
晶體管類型：2個PNP預偏壓式（雙）
電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
電阻器-基底(R1)(Ω)：2.2k
電阻器-發(fā)射極基底(R2)(Ω)：47k
不同?Ic、Vce?時的DC電流增益(hFE)（最小值）：80@10mA，5V
不同?Ib、Ic時的?Vce飽和值（最大值）：300mV@250µA，5mA
電流-集電極截止（最大值）：500nA
頻率-躍遷：250MHz
功率-最大值：300mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SC-74，SOT-457
供應商器件封裝：SMT6