HI5860IBZ-T參數(shù)：CONV D/A 12BIT 130MSPS 28-SOIC
類別：集成電路 (IC)-數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)模轉(zhuǎn)換器標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：-包裝：帶卷 (TR)建立時間：35ns位數(shù)：12數(shù)據(jù)接口：并聯(lián)轉(zhuǎn)換器數(shù)：1電壓源：模擬和數(shù)字功率耗散（最大值）：200mW工作溫度：-40°C ~ 85°C安裝類型：表面貼裝封裝：28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）供應(yīng)商器件封裝：28-SOIC W輸出數(shù)和類型：2 電流，單極采樣率（每秒）：130M
